(a) El xido de puerta para un proceso CMOS en <100> silicio debe tener un espesor de 10 nm (100A). Calcule el tiempo requerido para hacer crecer este xido a 850 ^o C en oxgeno hmedo. Repita el trabajo para 1000 ^o C. Alguno de estos posibles procesos parece estar bajo control? (elaborar).

{t = {X ₀ ² / B + X _o / (B/A) - t}, A = 2D/k _s , B = 2DN ₀ / M, y t = X _i ² / B + X _i / (B /A), _Xi es el espesor inicial de xido en la oblea, t representa el tiempo que habra sido necesario para hacer crecer el xido inicial. Por lo general, una capa delgada de xido nativo (10 a 20 A) siempre est presente en el silicio debido a la oxidacin atmosfrica. D es el coeficiente de difusin y N es la concentracin de partculas. k _s se denomina constante de velocidad para la reaccin en el Si-SiO ₂ , M es el nmero de molculas de las especies oxidantes que se incorporan en una unidad de volumen. La condicin de frontera es X _o (t = 0) = X _i .}

(b) Se realiza un ciclo de oxidacin seco-hmedo-seco de 30 minutos/120 minutos/30 minutos a 1100 ^o C. Cul es el espesor final del xido para una oblea de silicio <100>? Cul es el espesor final del xido para una oblea de silicio <111>?

en el problema dos, parte a, tome el xido de puerta como 100nm como algunos de ustedes sugirieron, ya que los grficos sern ms convenientes para manejar. Tambin puede hacer que el problema sea ms fcil para usted si dice que la oblea se limpiar con un pulido qumico/mecnico para eliminar el xido nativo y se mantendr en un ambiente limpio y controlado.